Prif ddeunyddiau crai sgraffiniad carbid silicon du yw tywod cwarts a golosg petrolewm, sydd wedyn yn cael eu mwyndoddi ar dymheredd uchel mewn ffwrnais gwrthiant. Os ydych chi eisiau gwneud carbid silicon gwyrdd, mae angen ichi ychwanegu'r swm cywir o halen at y tâl.
Er mwyn smeltio carbid silicon, rhaid gosod y ffwrnais yn gyntaf y tu mewn i ffwrnais gwrthsefyll swp. Dau ben y ffwrnais ymwrthedd yw'r waliau diwedd, ac mae electrodau graffit ger canol y ffwrnais. Mae corff craidd y ffwrnais wedi'i gysylltu rhwng y ddau electrod. Trefnir ffwrnais hefyd o amgylch craidd y ffwrnais, yn bennaf i gymryd rhan yn yr adwaith, a darperir deunydd cadw gwres y tu allan i'r ffwrnais.
Wrth wneud carbid silicon, ar ôl i'r ffwrnais drydan gael ei egni, bydd tymheredd craidd y ffwrnais yn codi i 2600-2700 gradd. Bydd y gwres trydan yn cael ei drosglwyddo i'r ffwrnais trwy wyneb craidd y ffwrnais. Pan fydd y tymheredd yn uwch na 1450 gradd, bydd cyfres o adweithiau cemegol yn digwydd, ac yn y pen draw bydd carbid silicon yn cael ei ffurfio a bydd carbon monocsid yn cael ei ryddhau. Wrth i'r amser gwresogi gynyddu, bydd ystod tymheredd uchel y ffwrnais hefyd yn cynyddu, a bydd y carbid silicon sy'n deillio o hyn hefyd yn cynyddu.
Bydd silicon carbid yn parhau i ffurfio yn y ffwrnais, bydd y broses hon yn anweddu ac yn symud ac yn crisialu, ac yn olaf yn casglu i mewn i silindr grisial silindrog. Pan fydd wal fewnol y silindr crisialu yn dechrau dadelfennu ar dymheredd uchel o dros 2600 gradd. Mae'r silicon dadelfennu yn cyfuno â'r carbon yn y ffwrnais, gan ffurfio carbid silicon newydd yn y pen draw.
Ar ôl mireinio, bydd y deunyddiau yn y ffwrnais yn ffurfio deunyddiau heb adweithio, haen oxycarbide silicon, haen gludiog, haen amorffaidd, carbid silicon ail-radd, ingotau carbid silicon gradd gyntaf, graffit corff craidd Ffwrnais a haenau deunydd eraill.
